數(shù)字電磁加熱簡介參數(shù)說明

翰皇數(shù)字機(jī)芯

數(shù)字機(jī)芯以每秒72M運(yùn)算能力，是電磁爐每秒20K的工作頻率3000倍，能對每個(gè)運(yùn)行周期的各項(xiàng)叁數(shù)進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控并及時(shí)處理，確保穩(wěn)定有效工作，實(shí)現(xiàn)IGBT零損壞，本數(shù)字機(jī)芯采用進(jìn)口直流風(fēng)機(jī)，高轉(zhuǎn)速低壓風(fēng)機(jī)，安全可靠電壓12V,轉(zhuǎn)速5500轉(zhuǎn)，使機(jī)芯散熱達(dá)到最理想效果。壽命達(dá)到80000小時(shí)，即使風(fēng)機(jī)短路也不會對IGBT電路造成損壞，是模擬機(jī)芯所達(dá)不到的。

模擬機(jī)芯

模擬技術(shù)：電流保護(hù)只有微秒級反應(yīng)速度，保護(hù)有盲區(qū)，經(jīng)常因?yàn)殡娏鬟^大或短路保護(hù)不級時(shí)導(dǎo)致IGBT炸機(jī)。模擬機(jī)芯采用交流風(fēng)機(jī)散熱，低轉(zhuǎn)速，散熱不理想，IGBT溫升過高，壽命大大縮短，采用交流風(fēng)機(jī)極易損壞，短路從而引發(fā)機(jī)芯電路以及IGBT損壞，造成嚴(yán)重的損壞。

主控芯片簡介

數(shù)字半橋電磁加熱控制器，主控芯片是意法半導(dǎo)體公司推出的基于ARM32位CORTEX-M3內(nèi)核，72MHZ處理頻率，高性能底功耗處理器，本控制器使用的型號位：STM32F103VCT6,芯片資源豐富功能強(qiáng)大，芯片直接輸出互補(bǔ)PWM信號做驅(qū)動信號源，軟件精確設(shè)定頻率，周期，死區(qū)等驅(qū)動信號參數(shù)，這是老式使用SG3525等靠外圍硬件設(shè)定頻率周期死區(qū)產(chǎn)生的驅(qū)動信號電路無法比的，元器件溫度系數(shù)不一，引起的頻率不穩(wěn)，頻率漂移，頻率范圍不可調(diào)等造成產(chǎn)品不穩(wěn)定性，量產(chǎn)的不一致性現(xiàn)象比例高舉不下，使用高速數(shù)字芯片就可以完全解決這些問題，最關(guān)鍵的還是SG3525這類芯片，對于高要求高穩(wěn)定動態(tài)死區(qū)控制等那更是不可及的，本控制板所使用的STM32芯片，12位US級A.D轉(zhuǎn)換器，可以高精度的撲捉電流電壓溫度等AD信號，更準(zhǔn)確的監(jiān)控工作狀態(tài)，高速IO中斷，精確相位檢測，快速判斷輸出信號，以達(dá)到穩(wěn)定可靠工作。檢測更精確，保護(hù)更及時(shí)，運(yùn)行更安全，這不是三星S3F9454,AVR等芯片可以完成的。芯片資源豐富，使得電路更加簡潔。

基本參數(shù)

l 主控芯片；意法STM32F103VCT6 

l 驅(qū)動組合；A316J+MJD45H11T4G+MJD44H11T4G

l 控制板輸入電源：三相380V

l 電源變壓器初級：380V，次級為18－24－24V

l 頻率范圍：16KHZ-38KHZ9(可設(shè)定范圍)

l 霍爾電流傳感器；TBC100AP

l 高頻互感器：1：800

l 標(biāo)配控制盒為四位數(shù)碼管顯示，6輕觸按鍵輸入

l K型熱電偶溫度檢測

l USART和RS485通信

l 模塊溫度傳感器;100K3950

l 基本保護(hù)參數(shù) 優(yōu)點(diǎn)      

*電壓高低壓檢測保護(hù)             *電源缺相檢測保護(hù)          *模塊溫度檢測保護(hù)

*電感量過大過小檢測保護(hù)         *負(fù)載開路短路報(bào)警          *特殊功能保護(hù)

*線圈溫度檢測保護(hù)               *干燒檢測保護(hù)              *相位跟蹤

*線盤短路保護(hù)                   *時(shí)間數(shù)據(jù)密碼程序保護(hù)      * 浪涌保護(hù)

*防雷擊保護(hù)                     *大電流保護(hù)    *風(fēng)扇停轉(zhuǎn)保護(hù)